ES1BL R3G
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | ES1BL R3G |
|---|---|
| Κατασκευαστής | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Λεπτομερής περιγραφή | DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA |
| Πακέτο | Sub SMA |
| Σε απόθεμα | 1830216 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | ES1AL - ES1JL |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 1800 | 3600 | 5400 | 12600 | 45000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.037 | $0.032 | $0.029 | $0.026 | $0.024 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς TSC (Taiwan Semiconductor).Έχουμε τα 1830216 κομμάτια του TSC (Taiwan Semiconductor) ES1BL R3G σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν | 950mV @ 1A |
| Τάσης - DC Reverse (VR) (Max) | 100V |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | Sub SMA |
| Ταχύτητα | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Σειρά | - |
| Χρόνος επαναφοράς Reverse (TRR) | 35ns |
| Συσκευασία | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση | DO-219AB |
| Αλλα ονόματα | ES1BL R3GTR ES1BL R3GTR-ND ES1BLR3GTR |
| Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση | -55°C ~ 150°C |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time | 21 Weeks |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Τύπος | Standard |
| Λεπτομερής περιγραφή | Diode Standard 100V 1A Surface Mount Sub SMA |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr | 5µA @ 100V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io) | 1A |
| Χωρητικότητα @ VR, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
ES1BL RFG
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
ES1BL MQG
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMATSC (Taiwan Semiconductor) -
ES1BL RQG
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
ES1BL MTG
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
ES1BL M2G
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
ES1BLHMQG
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
ES1BHM2G
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214ACTaiwan Semiconductor Corporation -
ES1BL RVG
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
ES1BL RTG
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
ES1BHM3_A/I
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214ACVishay General Semiconductor - Diodes Division -
ES1BLH
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
ES1BL
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
ES1BHM3_A/H
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214ACVishay General Semiconductor - Diodes Division -
ES1BL RUG
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
ES1BLHMHG
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
ES1BHR3G
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214ACTaiwan Semiconductor Corporation -
ES1BHE3_A/I
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214ACVishay General Semiconductor - Diodes Division -
ES1BLHM2G
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
ES1BL RHG
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation -
ES1BL MHG
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMATaiwan Semiconductor Corporation